Micron inicia construção de megafábrica em Nova York, um marco para a produção de DRAM nos EUA
Publicado em 10 de janeiro de 2026 às 12:00
3 min de leituraA nova era da produção de memória nos Estados Unidos dá um passo decisivo com o início da construção da megafábrica da Micron em Onondaga County, Nova York. A Micron anunciou que realizará a cerimônia oficial de inauguração do terreno da Micron New York megafab em 16 de janeiro, marcando o começo de um dos maiores investimentos privados da história do estado.
O complexo industrial representa um investimento de US$ 100 bilhões e será desenvolvido ao longo de duas décadas, com previsão de conclusão total em 2041. Quando totalmente operacional, o complexo será composto por quatro módulos de fabricação e estabelecerá um marco histórico para a indústria de semicondutores americana, permitindo que a Micron produza 40% de suas memórias DRAM em solo americano até a década de 2040 – um salto impressionante considerando que atualmente esse percentual é praticamente zero.
A cerimônia de inauguração acontece após um rigoroso processo de análise ambiental e aprovações regulatórias que atrasou o projeto em aproximadamente cinco anos. Curiosamente, a cerimônia precederá a preparação efetiva do terreno, uma situação incomum no setor, já que normalmente a inauguração ocorre após essa etapa inicial.
Segundo documentos oficiais da Micron, a preparação do terreno para o primeiro módulo (Fab 1) deve começar no final de 2025, com a construção propriamente dita iniciando no final de 2026 e se estendendo até o segundo trimestre de 2028. Considerando o tempo necessário para equipar a instalação, a produção efetiva está prevista para 2030, cinco anos depois do cronograma original.
Um projeto monumental para a indústria americana
Cada uma das quatro instalações do complexo de Nova York contará com uma sala limpa de 55.700 metros quadrados, superando em tamanho o Fab 8 da GlobalFoundries em Malta, Nova York, que possui aproximadamente 42.700 metros quadrados (embora esteja em expansão). O investimento inicial para o primeiro módulo está estimado em US$ 20 bilhões, com os módulos subsequentes projetados para custar ainda mais, à medida que a Micron adote ferramentas de litografia EUV mais avançadas.
As novas instalações em Nova York complementarão o site da Micron em Boise, Idaho, onde a construção do primeiro novo módulo (ID1) já foi concluída. A fábrica de Idaho deve iniciar a produção de wafers no segundo semestre de 2027, antes mesmo que o primeiro módulo de Nova York entre em operação.
Um diferencial estratégico para as instalações de Idaho é sua proximidade com o centro de P&D da empresa, permitindo uma colaboração mais estreita entre as equipes de integração de processos e os pesquisadores. Essa sinergia será particularmente importante considerando o foco atual da Micron na produção de memórias DDR5 de alta capacidade para servidores e memórias HBM (High-Bandwidth Memory) para aceleradores de IA, produtos que utilizam chips DRAM maiores e mais caros.
Atualmente, a Micron opera cinco fábricas de produção de wafers globalmente: duas fábricas de 3D NAND em Cingapura, uma fábrica de DRAM no Japão perto de Hiroshima e duas fábricas de DRAM em Taiwan (próximas a Taichung e Taoyuan). Além disso, a empresa possui uma instalação de empacotamento HBM em Cingapura e planeja construir outro módulo no Japão, bem como uma planta de montagem HBM nos Estados Unidos.
Os planos ambiciosos da Micron incluem investir cerca de US$ 150 bilhões em seis módulos de fabricação nos EUA até 2045, além de destinar US$ 50 bilhões adicionais para pesquisa e desenvolvimento no mesmo período. No entanto, ainda não está claro se esse investimento em P&D será exclusivo para os Estados Unidos ou distribuído entre as instalações globais da empresa.
De qualquer forma, a cerimônia de inauguração em Nova York na próxima semana representa não apenas um marco na expansão da Micron nos Estados Unidos, mas também um passo significativo no retorno da produção de memórias DRAM ao território americano, fortalecendo a cadeia de suprimentos de semicondutores do país em um momento geopolítico crucial para o setor.
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Fonte: Hardware.com.br
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