Transistores 2D mais próximos da realidade: Intel detalha produção compatível com wafers de 300 mm
Publicado em 19 de dezembro de 2025 às 11:07
2 min de leituraTransistores 2D baseados em materiais 2D têm sido demonstrados em ambientes acadêmicos e laboratórios de pesquisa há mais de uma década. Porém, nenhuma dessas demonstrações era compatível com a fabricação de semicondutores em larga escala.
O problema é que eles dependem de wafers pequenos, ferramentas de pesquisa personalizadas e etapas de processo frágeis.
Nesta semana, Intel Foundry e o imec demonstraram uma integração de módulos de processo críticos para transistores de efeito de campo 2D (2DFETs) prontos para wafers de 300 milímetros. Tudo indica que os materiais 2D e os 2DFETs estão se aproximando da realidade.
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Limites da Tecnologia atual
Créditos: Intel.
Tecnologias como a 18A da Intel, a SF3E da Samsung e a N2 da TSMC utilizam dispositivos com estrutura gate-all-around (GAA). E todos os principais fabricantes de chips também estão desenvolvendo FETs complementares (CFETs) para empilhar transistores verticalmente e ampliar os ganhos de densidade acima do possível com GAA.
Os CFETs são considerados o próximo passo além dos transistores gate-all-around e espera-se que surjam na próxima década.
No entanto, a Intel e outros fabricantes de chips argumentam que a miniaturização contínua acabará por levar os canais de silício aos seus limites físicos. Nesse ponto, o controle eletrostático e a mobilidade dos portadores se degradam devido às dimensões extremamente pequenas.
A indústria está avaliando cada vez mais materiais 2D ara solucionar esse problema. Afinal, materiais 2D podem formar canais com apenas alguns átomos de espessura, mantendo um forte controle de corrente.
Resultados azuis
Créditos: 4K Wallpapers.
Fonte: Adrenaline
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